![Оперативная память AMD Radeon™ SO DIMM DDR4 16GB 2666 R7 Performance Series Black R7416G2606S2S-UO Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk [R7416G2606S2S-UO Bulk]](/upload/iblock/e85/yrqq5me5z0fkdixcro3dwhpk6x6htdvl.jpg "Оперативная память AMD Radeon™ SO DIMM DDR4 16GB 2666 R7 Performance Series Black R7416G2606S2S-UO Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk [R7416G2606S2S-UO Bulk]")
![Оперативная память AMD Radeon™ SO DIMM DDR4 16GB 2666 R7 Performance Series Black R7416G2606S2S-UO Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk [R7416G2606S2S-UO Bulk]](/upload/resize_cache/iblock/e85/50_50_140cd750bba9870f18aada2478b24840a/yrqq5me5z0fkdixcro3dwhpk6x6htdvl.jpg "Оперативная память AMD Radeon™ SO DIMM DDR4 16GB 2666 R7 Performance Series Black R7416G2606S2S-UO Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk [R7416G2606S2S-UO Bulk]")
Будь в курсе акций и новинок
Оперативная память AMD Radeon™ SO DIMM DDR4 16GB 2666 R7 Performance Series Black R7416G2606S2S-UO Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk [R7416G2606S2S-UO Bulk]
4 016.93 ₽/шт
Артикул:
R7416G2606S2S-UO Bulk
Есть в наличии
В корзину
Купить в 1 клик
Данное предложение не является публичной офертой. Стоимость товара может быть изменена менеджером, после обработки вашего заказа.
Характеристики
Производитель
AMD
Бренд:
32489
Артикул:
R7416G2606S2S-UO Bulk
Тип:
DDR4
Особенности:
NON-ECC
Частота памяти:
2666 МГц
Характеристики
Бренд:
32489
Артикул:
R7416G2606S2S-UO Bulk
Тип:
DDR4
Особенности:
NON-ECC
Частота памяти:
2666 МГц
Линейка:
Radeon R7 Performance
Форм-фактор:
SODIMM
Количество модулей в комплекте:
1 шт.
tRAS:
35
Напряжение питания:
1.2 В
Объем одного модуля:
16 ГБ
CL:
16
tRCD:
18
tRP:
18
Количество контактов:
260
Пропускная способность:
21300
Оперативная память AMD Radeon™ SO DIMM DDR4 16GB 2666 R7 Performance Series Black R7416G2606S2S-UO — это высококачественный модуль памяти, предназначенный для ноутбуков и компактных систем. Объем 16 ГБ позволяет эффективно выполнять многозадачные операции и запускать ресурсоемкие приложения, что делает эту память идеальным выбором для геймеров и профессионалов.С тактовой частотой 2666 МГц и низким временем задержки CL16, данная оперативная память обеспечивает отличную производительность и стабильность. Напряжение в 1.2 В способствует высокому уровню энергоэффективности, что особенно важно для мобильных устройств.
