![Оперативная память Samsung 8GB DDR4 3200 PC25600 DIMM [M378A1K43EB2-CWE]](/upload/iblock/73f/3hn5kytjfquano87xnipavfzltp4hs5m.png "Оперативная память Samsung 8GB DDR4 3200 PC25600 DIMM [M378A1K43EB2-CWE]")
![Оперативная память Samsung 8GB DDR4 3200 PC25600 DIMM [M378A1K43EB2-CWE]](/upload/resize_cache/iblock/73f/50_50_140cd750bba9870f18aada2478b24840a/3hn5kytjfquano87xnipavfzltp4hs5m.png "Оперативная память Samsung 8GB DDR4 3200 PC25600 DIMM [M378A1K43EB2-CWE]")
Будь в курсе акций и новинок
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 3200 PC25600 DIMM [M378A1K43EB2-CWE]
4 276.14 ₽/шт
Артикул:
M378A1K43EB2-CWE
Есть в наличии
В корзину
Купить в 1 клик
Данное предложение не является публичной офертой. Стоимость товара может быть изменена менеджером, после обработки вашего заказа.
Характеристики
Производитель
Samsung
Бренд:
30777
Артикул:
M378A1K43EB2-CWE
Тип:
DDR4
Особенности:
Registered,Unregistered
Частота памяти:
3200 МГц
Характеристики
Бренд:
30777
Артикул:
M378A1K43EB2-CWE
Тип:
DDR4
Особенности:
Registered,Unregistered
Частота памяти:
3200 МГц
Линейка:
Basic
Форм-фактор:
DIMM
Количество модулей в комплекте:
1 шт.
tRAS:
21
Напряжение питания:
1.2 В
Объем одного модуля:
8 ГБ
CL:
21
tRCD:
21
tRP:
21
Количество рангов:
1
Количество контактов:
288
Пропускная способность:
25600
Для временного хранения данных выбирайте модуль памяти SAMSUNG M378A1K43EB2-CWE DDR4 с форм-фактором DIMM. Латентность CL21 минимизирует задержки данных из памяти. Необходимое напряжение для работы модуля памяти – 1.2В. Скорость 3200МГц обеспечивает быстродействие системы.
