![Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]](/upload/iblock/fb3/9x3yhi4n4v5tot9tzgi4aajblhkmetfc.webp "Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]")
![Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]](/upload/iblock/9b5/1y5wnjp1zc4x5315ppgj6yhlm52tu0n3.webp "Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]")
![Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]](/upload/resize_cache/iblock/fb3/50_50_140cd750bba9870f18aada2478b24840a/9x3yhi4n4v5tot9tzgi4aajblhkmetfc.webp "Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]")
![Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]](/upload/resize_cache/iblock/9b5/50_50_140cd750bba9870f18aada2478b24840a/1y5wnjp1zc4x5315ppgj6yhlm52tu0n3.webp "Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]")
Будь в курсе акций и новинок
Оперативная память DDR5 8GB 4800MHz Digma DGMAS5480008S RTL PC5-38400 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank Ret [DGMAS5480008S]
3 205.58 ₽/шт
Артикул:
DGMAS5480008S
Есть в наличии
В корзину
Купить в 1 клик
Данное предложение не является публичной офертой. Стоимость товара может быть изменена менеджером, после обработки вашего заказа.
Характеристики
Производитель
Digma
Бренд:
30785
Артикул:
DGMAS5480008S
Тип:
DDR5
Частота памяти:
4800 МГц
Форм-фактор:
SODIMM
Характеристики
Бренд:
30785
Артикул:
DGMAS5480008S
Тип:
DDR5
Частота памяти:
4800 МГц
Форм-фактор:
SODIMM
Объем одного модуля (точно):
8192
Количество модулей в комплекте:
1 шт.
tRAS:
76
Количество чипов каждого модуля:
4
Напряжение питания:
1.1 В
Объем одного модуля:
8 ГБ
CL:
40
tRCD:
40
tRP:
40
Количество рангов:
1
Количество контактов:
262
Пропускная способность:
38400
