![Оперативная память Kingston DDR-III 4GB 1600MHz SO-DIMM [KVR16S11S8/4WP]](/upload/iblock/de6/74lq1nxjk6vudwkb3p8iq7f83bagv3ki.webp "Оперативная память Kingston DDR-III 4GB 1600MHz SO-DIMM [KVR16S11S8/4WP]")
![Оперативная память Kingston DDR-III 4GB 1600MHz SO-DIMM [KVR16S11S8/4WP]](/upload/resize_cache/iblock/de6/50_50_140cd750bba9870f18aada2478b24840a/74lq1nxjk6vudwkb3p8iq7f83bagv3ki.webp "Оперативная память Kingston DDR-III 4GB 1600MHz SO-DIMM [KVR16S11S8/4WP]")
Будь в курсе акций и новинок
Оперативная память Kingston DDR-III 4GB 1600MHz SO-DIMM [KVR16S11S8/4WP]
2 381.64 ₽/шт
Артикул:
KVR16S11S8/4WP
Достаточно
В корзину
Купить в 1 клик
Данное предложение не является публичной офертой. Стоимость товара может быть изменена менеджером, после обработки вашего заказа.
Характеристики
Производитель
Kingston
Бренд:
32494
Артикул:
KVR16S11S8/4WP
Тип:
DDR3
Частота памяти:
1600 МГц
Линейка:
ValueRAM
Характеристики
Бренд:
32494
Артикул:
KVR16S11S8/4WP
Тип:
DDR3
Частота памяти:
1600 МГц
Линейка:
ValueRAM
Форм-фактор:
SODIMM
Количество модулей в комплекте:
1 шт.
Количество чипов каждого модуля:
4
Напряжение питания:
1.5 В
Объем одного модуля:
4 ГБ
CL:
11
tRCD:
11
tRP:
11
Количество рангов:
2
Количество контактов:
204
Упаковка чипов:
двусторонняя
Пропускная способность:
12800
ноутбука. Этот модуль памяти от компании Kingston имеет форм-фактор SO-DIMM, что делает его идеальным выбором для ноутбуков и мини-ПК. Тип памяти DDR3 обеспечивает быструю передачу данных и оптимальное функционирование системы. Объем памяти составляет 4 Гб, что позволяет запускать множество приложений одновременно и обеспечивает плавную работу операционной системы. Один модуль объемом 4 Гб в комплекте обеспечивает удобство в установке и расширении памяти. Тактовая частота 1600 МГц и пропускная способность 12800 Мб/с позволяют оперативной памяти работать быстро и эффективно. Задержки CAS Latency (CL) равны 11, что также влияет на скорость передачи данных. RAS to CAS Delay (tRCD) и Row Precharge Delay (tRP) также равны 11, что обеспечивает стабильную работу памяти в различных ситуациях.
