![Оперативная память Kingston Single Rank DDR-III 4GB 1600MHz CL11 [KVR16N11S8/4WP]](/upload/iblock/ecf/azm0hu6h7fbvxcdzowwvmzzt5n67fbmr.jpg "Оперативная память Kingston Single Rank DDR-III 4GB 1600MHz CL11 [KVR16N11S8/4WP]")
![Оперативная память Kingston Single Rank DDR-III 4GB 1600MHz CL11 [KVR16N11S8/4WP]](/upload/resize_cache/iblock/ecf/50_50_140cd750bba9870f18aada2478b24840a/azm0hu6h7fbvxcdzowwvmzzt5n67fbmr.jpg "Оперативная память Kingston Single Rank DDR-III 4GB 1600MHz CL11 [KVR16N11S8/4WP]")
Будь в курсе акций и новинок
Оперативная память Kingston Single Rank DDR-III 4GB 1600MHz CL11 [KVR16N11S8/4WP]
3 306.88 ₽/шт
Артикул:
KVR16N11S8/4WP
Есть в наличии
В корзину
Купить в 1 клик
Данное предложение не является публичной офертой. Стоимость товара может быть изменена менеджером, после обработки вашего заказа.
Характеристики
Производитель
Kingston
Бренд:
32494
Артикул:
KVR16N11S8/4WP
Тип:
DDR3
Особенности:
низкопрофильная (Low Profile)
Частота памяти:
1600 МГц
Характеристики
Бренд:
32494
Артикул:
KVR16N11S8/4WP
Тип:
DDR3
Особенности:
низкопрофильная (Low Profile)
Частота памяти:
1600 МГц
Форм-фактор:
DIMM
Количество модулей в комплекте:
1 шт.
Количество чипов каждого модуля:
8
Напряжение питания:
1.5 В
Объем одного модуля:
4 ГБ
CL:
11
tRCD:
11
tRP:
11
Количество рангов:
1
Количество контактов:
240
Упаковка чипов:
односторонняя
Пропускная способность:
12800
Оперативная память 4Gb DDR-III 1600MHz Kingston (KVR16N11S8/4) - это надежный и высокопроизводительный модуль памяти, который поможет повысить производительность вашего компьютера. Этот модуль отличается высоким качеством сборки и надежностью бренда Kingston, который является одним из лидеров в области производства компьютерных компонентов. Этот модуль памяти имеет форм-фактор DIMM, что делает его совместимым с большинством современных материнских плат. Тип памяти DDR3 обеспечивает высокую скорость передачи данных, а объем памяти 4 Гб позволяет запускать множество приложений одновременно без потери производительности. Тактовая частота 1600 МГц и пропускная способность 12800 Мб/с обеспечивают быструю загрузку приложений и плавную работу системы в целом. Задержка CAS Latency (CL) составляет 11 тактов, что также способствует быстрой обработке данных. RAS to CAS Delay (tRCD) и Row Precharge Delay (tRP) также равны 11 тактам, что гарантирует стабильную работу памяти даже при высоких нагрузках.
