![Оперативная память AMD Radeon R7 DDR4 4Gb 2666MHz, CL16, UDIMM [R744G2606U1S-U]](/upload/iblock/c17/zp9jrblh6sl6n9hjphsjwncoskoddvp0.webp "Оперативная память AMD Radeon R7 DDR4 4Gb 2666MHz, CL16, UDIMM [R744G2606U1S-U]")
![Оперативная память AMD Radeon R7 DDR4 4Gb 2666MHz, CL16, UDIMM [R744G2606U1S-U]](/upload/resize_cache/iblock/c17/50_50_140cd750bba9870f18aada2478b24840a/zp9jrblh6sl6n9hjphsjwncoskoddvp0.webp "Оперативная память AMD Radeon R7 DDR4 4Gb 2666MHz, CL16, UDIMM [R744G2606U1S-U]")
Будь в курсе акций и новинок
Оперативная память AMD Radeon R7 DDR4 4Gb 2666MHz, CL16, UDIMM [R744G2606U1S-U]
3 964.39 ₽/шт
Артикул:
R744G2606U1S-U
Есть в наличии
В корзину
Купить в 1 клик
Данное предложение не является публичной офертой. Стоимость товара может быть изменена менеджером, после обработки вашего заказа.
Характеристики
Производитель
AMD
Бренд:
32489
Артикул:
R744G2606U1S-U
Тип:
DDR4
Частота памяти:
2666 МГц
Линейка:
Radeon R7 Performance
Характеристики
Бренд:
32489
Артикул:
R744G2606U1S-U
Тип:
DDR4
Частота памяти:
2666 МГц
Линейка:
Radeon R7 Performance
Форм-фактор:
UDIMM
Количество модулей в комплекте:
1 шт.
tRAS:
35
Напряжение питания:
1.2 В
Объем одного модуля:
4 ГБ
CL:
16
tRCD:
18
tRP:
18
Количество контактов:
288
Пропускная способность:
21300
Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz AMD (R744G2606U1S-U) RTL - это надежное и быстродействующее устройство, которое обеспечит стабильную работу вашего компьютера. Этот модуль памяти имеет форм-фактор DIMM, что делает его совместимым с большинством современных настольных компьютеров. Тип памяти DDR4 обеспечивает высокую производительность и энергоэффективность, что делает этот модуль идеальным выбором для тех, кто ценит качество и быстродействие. Объем памяти 4 Гб позволит вам запускать множество приложений одновременно без замедления работы компьютера. Тактовая частота 2666 МГц обеспечивает быструю передачу данных и высокую скорость работы системы. Пропускная способность 21300 Мб/с позволит вам эффективно обрабатывать большие объемы информации без задержек. Характеристики CAS Latency (CL) 16, RAS to CAS Delay (tRCD) 18, Row Precharge Delay (tRP) 18 и Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 гарантируют стабильную и надежную работу модуля памяти без сбоев.
